辐射模拟实验研究就是利用单粒子效应产生的各种模拟源（粒子加速器提供的各种重离子和质子、252Cf裂片模拟源、14MeV中子源、α源等）辐照半导体器件和电路，测试其辐射敏感参数，研究其故障规律，分析其机理，探索加固措施；评价器件和电路的抗单粒子效应水平，为器件的选型和实际辐射环境中单粒子翻转率的预估提供依据。

广泛应用于工业生产中的材料改性、新材料制作、环境保护、加工生产、医疗卫生用品灭菌消毒和食品灭菌保鲜等。

1、引出质子的能量范围：30MeV~50MeV
（通过降能，最低能量可降至10MeV以下）

2、引出质子的流强范围：10nA~10µA

3、试验终端的束流密度：5x105~5x109p/cm2.s

4、最大辐照面积：20cmx20cm

5、束流不均匀性：＜10%

6、单次连续运行时间：＞10hr