辐射模拟实验研究就是利用单粒子效应产生的各种模拟源(粒子加速器提供的各种重离子和质子、252Cf裂片模拟源、14MeV中子源、α源等)辐照半导体器件和电路,测试其辐射敏感参数,研究其故障规律,分析其机理,探索加固措施;评价器件和电路的抗单粒子效应水平,为器件的选型和实际辐射环境中单粒子翻转率的预估提供依据。
广泛应用于工业生产中的材料改性、新材料制作、环境保护、加工生产、医疗卫生用品灭菌消毒和食品灭菌保鲜等。
1、引出质子的能量范围:30MeV~50MeV
(通过降能,最低能量可降至10MeV以下)
2、引出质子的流强范围:10nA~10µA
3、试验终端的束流密度:5x105~5x109p/cm2.s
4、最大辐照面积:20cmx20cm
5、束流不均匀性:<10%
6、单次连续运行时间:>10hr
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